單片機(jī)最小系統(tǒng)晶振的作用 7050泰藝有源晶振
封裝介紹　　貼片晶振是表貼式的石英晶體，常用于精尖端電子產(chǎn)品上；貼片晶振的體積要比直插的晶振體積小很多。工藝相對(duì)復(fù)雜很多
電器應(yīng)用　　一種無(wú)突出引腳的的晶體振蕩器，能提供高精度振蕩。貼片晶振目前廣泛應(yīng)用于手機(jī)， 電腦周邊數(shù)碼相機(jī)，MP3,U盤等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，頻率精度可以達(dá)到2PPM.　　貼片晶振的主要封裝有：8045,7050,6035,5032,4025,3225,2520.

技術(shù)指標(biāo)　　⒈總頻差：在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的最大頻差?！　≌f(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準(zhǔn)確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn)　　定度和頻率負(fù)載穩(wěn)定度共同造成的最大頻差。一般只在對(duì)短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對(duì)其他頻　　率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達(dá)?！　、?頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度　　或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏?！　T=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）　　fTref =±MAX[|（fmax-fref）/fref|,|（fmin-fref）/fref|] fT:頻率溫度穩(wěn)定度　?。ú粠щ[含基準(zhǔn)溫度）　　fTref:頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫度）　　fmax :規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最高頻率　　fmin:規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最低頻率　　fref:規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率　　說(shuō)明：采用fTref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標(biāo)的晶體振蕩器，故　　fTref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高?！　、?頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間：以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn)，從加電到輸出頻率小于規(guī)定　　頻率允差所需要的時(shí)間。　　說(shuō)明：在多數(shù)應(yīng)用中，晶體振蕩器是長(zhǎng)期加電的，然而在某些應(yīng)用中晶體振蕩器需要　　頻繁的開機(jī)和關(guān)機(jī)，這時(shí)頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間指標(biāo)需要被考慮到（尤其是對(duì)于在苛刻環(huán)境中使　　用的軍用通訊電臺(tái)，當(dāng)要求頻率溫度穩(wěn)定度≤±0.3ppm（-45℃~85℃），采用OCXO作為本　　振，頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘）。　?、?頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)　　系。這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規(guī)定時(shí)限后　　的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時(shí)后），或規(guī)定的時(shí)限內(nèi)最大的總頻率變化（如：　　±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lái)表示?！　≌f(shuō)明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm~±2ppm（第一年）和±1ppm~±5ppm（十　　年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標(biāo)，因?yàn)榧词乖趯?shí)驗(yàn)室的條件下，溫　　度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標(biāo)失　　去了實(shí)際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb~±10ppb/天（加電72小時(shí)后），±　　30ppb~±2ppm（第一年），±0.3ppm~±3ppm（十年）?！　、殿l率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的　　最小峰值改變量。　　說(shuō)明：基準(zhǔn)電壓為+2.5V,規(guī)定終點(diǎn)電壓為+0.5V和+4.5V,壓控晶體振蕩器在+　　0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm,在+4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為+　　130ppm,則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。　?、秹嚎仡l率響應(yīng)范圍：當(dāng)調(diào)制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī)　　定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準(zhǔn)頻率低若干dB表示。　　說(shuō)明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0~10kHz.　?、奉l率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量　　度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度?！　≌f(shuō)明：典型的VCXO頻率壓控線性為：≤±10%,≤±20%.簡(jiǎn)單的VCXO頻率壓控線性計(jì)　　算方法為（當(dāng)頻率壓控極性為正極性時(shí)）：　　頻率壓控線性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100%　　fmax:VCXO在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率　　fmin:VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率　　f0:壓控中心電壓頻率　　⒏單邊帶相位噪聲￡（f）：偏離載波f處，一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之　　比。

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