在晶體管光耦TLP185或者TLP785中，接收器是一只硅光電晶體管，因此在B-E之間只有一個硅PN結。達林頓光耦TLP127及TLP627等是由復合管構成，兩個硅PN結串聯(lián)成復合管的發(fā)射結。根據(jù)上述電路上的差別，很容易將通用型與達林頓型光耦合器區(qū)分開來。具體方法是，將萬用表撥至R×100檔，黑表筆接B極，紅表筆接E極，采用讀取電壓法求出發(fā)射結正向電壓VBE。若VBE=0.55～0.7V，就是達林頓型光耦合器。
通用型與達林頓型光耦合器的主要區(qū)別是接收管的電流放大系數(shù)不同。前者的hFE為幾十倍至幾百倍，后者可達數(shù)千倍，二者相差1～2個數(shù)量級。因此，只要準確測量出hFE值，即可加以區(qū)分。在測量時應注意事項：因為達林頓型光耦合器TLP127的電流增益hFE值很高，所以表針兩次偏轉格數(shù)非常接近。準確讀出n1、 n2的格數(shù)是本方法關鍵所在，否則將引起較大的誤差。此外，歐姆零點亦應事先調(diào)準。
若TLP127中的發(fā)射管損壞，但接收管未發(fā)現(xiàn)故障，則可代替超β管使用。同理，倘若TLP627中的接收管完好無損，也可作普通硅NPN晶體管使用，實現(xiàn)廢物利用。對于無基極引線的通用型及達林頓型光耦合器，本方法不再適用。建議采用測電流傳輸比CTR的方法加以區(qū)分。
達林頓晶體管輸出光電
型號引腳CON組fi guration特點
微型扁平的MFSOP6高VCEO
1000 1/1 1.2 100/10 300 2500????7
TLP187
SO6（加強絕緣）高VCEO
1000 1/1 1.2 100/10 300 3750??RR
TLP371
DIP6高VCEO SEMKO批準
1000 1/1 1.2 100/10 300 5000???
TLP372
DIP6高VCEO無內(nèi)部連接基地
1000 1/1 1.2 100/10 300 5000??
TLP373
DIP6高VCEO發(fā)射極長集電極的距離
1000 1/1 1.2 100/10 300 5000??
TLP523
DIP4通用
500 1/1 1.0 50/10 55 2500??
TLP570
DIP6通用高抗電磁干擾
1000 1/1 1.2 100/10 35 2500??
TLP571
DIP6通用內(nèi)部底座連接
1000 1/1 1.2 100/10 35 2500?
TLP572
DIP6通用內(nèi)置RBE
1000 1 / 1.2 1.2 100/10 55 2500?
TLP627
DIP4高VCEO SEMKO批準
1000 1/1 1.2 100/10 300 5000
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