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電子級正硅酸四乙酯/ TEOS
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名稱 |
正硅酸四乙酯(TEOS) |
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化學(xué)式 |
C8H20O4Si |
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相對分子量 |
208.33 |
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CAS號 |
78-10-4 |
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理化性質(zhì) |
無色透明液體，熔點(diǎn)－77℃，沸點(diǎn)168.5℃，密度0.9346g/ml。在空氣中較穩(wěn)定；微溶于水，在純水中水解緩慢；在酸或堿的存在下能加速水解作用。 |
主要用途
主要用于晶圓制造過程中的化學(xué)氣相沉積（CVD）制程，用于生成二氧化硅和氮化硅薄膜。是半導(dǎo)體、分立器件、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造所需的電子化學(xué)品。
CVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化學(xué)氣相沉積材料
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Dielectrics PMD/IMD |
TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
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Low K Dielectrics |
4MS ,OMCATS |
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High K Dielectrics |
TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
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Metal Gate and Interconnect Metal |
TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
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Low-Temp Nitride/Oxide |
HCDS |
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Diffusion |
POCl3 |
供應(yīng)半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積材料，專業(yè)研發(fā)及制造各種先進(jìn)CVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化學(xué)氣相沉積材料，TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB Precursor，TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material，TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。
898995850
