銻化鎵襯底
名稱：GaSb（銻化鎵）單晶
規(guī)格：可以做到2英寸、3英寸和 4英寸；晶向可以正常為<100>、<111>,特殊晶向也可以加工。
參數(shù)：
GaSb單晶參數(shù)
品種
類型
濃度(n)（cm-3|）
遷移率(μ)(cm2/V.S)
位錯密度(EPD)(cm-2)
純GaSb
P
1~2*1017
600~700
<10000
Zn-GaSb
P
5*1017<n<100*1017
200~500
<10000
Te-GaSb
N
1~60*1017
2000~3500
<10000
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