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碳化硅襯底
光電子領(lǐng)域
發(fā)光二極管（LED）是利用半導(dǎo)體中電子與空穴復(fù)合發(fā)光的一種電子元器件，是一種節(jié)能環(huán)保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導(dǎo)率高、器件尺寸小、抗靜電能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導(dǎo)率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問(wèn)題，特別適合制備大功率的半導(dǎo)體照明用LED，這樣大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。
2英寸SiC晶體產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明
產(chǎn)品
4H-SiC & 6H-SiC
等級(jí)(Grade)
Grade I
Grade II
直徑(Diameter)
50.8 mm±0.38 mm
厚度(Thickness)
330/430μm±25μm or Customer Specification
主定位邊方向(Primary Flat Orientation)
Perpendicular to <11-20>±5.0°
主定位邊長(zhǎng)度(Primary Flat Length)
15.88 mm±1.65 mm
次定位邊方向(Secondary Flat Orientation)
90°CW from Primary flat±5.0°
次定位邊長(zhǎng)度(Secondary Flat Length)
8.0 mm±1.65 mm
正角晶片方向(On axis Wafer Orientation)
{0001}±0.25°
偏角晶片方向(Off axis Wafer Orientation)
4.0°toward <11-20>±0.5°
8.0°toward <11-20>±0.5°
邊緣(Edge Exclusion)
1.0 mm
總厚度變化/彎曲度/ (TTV/Bow)
< 15μm / < 15μm
微管密度(Micropipe Density)
< 10個(gè)/cm-2
< 30個(gè)/cm-2
電阻率(Resistivity)
導(dǎo)電(Conductive)
0.01~0.03Ω×cm
0.01~0.1Ω×cm
半絕緣(Semi-insulating)
> 105Ω×cm
表面加工(Surface Finish)
Both Polished (Si face: Ra < 0.2 nm) or Customer Specification
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